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![]() 使用有源天线阵列的毫米波接入点将在5G网络服务的开发中发挥重要作用。随着业界开始采用混合波束赋形,设计师在选择半导体技术来满足特定用例时将具有更大的灵活性。严格的性能规格要求前端PA和LNA采用最佳的半导体技术。先进且高度集成的GaAs PHEMT平台将成为一种竞争技...
NCV-RSL10是通过蓝牙5认证并符合车规的系统单芯片(SoC),具有极高的安全性和可靠性,用于汽车无匙进入、信息娱乐控制、主动安全和自动驾驶等应用,为汽车行业带来行业最低功耗。
射频(RF)收发器、Wi-Fi模块和光学图像传感器等应用对开关稳压器产生的噪声或残留交流纹波较敏感。半导体行业领袖安森美半导体最近推出的超高电源抑制比(PSRR)低压降(LDO) 稳压器系列NCP16x及汽车变体器件NCV81x,实现超低噪声,是用于这类应用的理想电源管理方案。
当前面向5G商用,要着力发掘在技术和业务模式上可复制、可推广、可快速投入市场的创新应用,推动开放式、平台型综合应用解决方案的涌现,通过发挥典型应用的辐射和示范效应,带动5G业务和应用的规模化、多样化的发展。
本文着重讨论开发高性能110GHz电缆组件时的难点和相关的论断,包括:1)电缆,2)连接器,3)测试,4)准备工作和相关资源。所有的这些都是高度关联和相互依赖的,因此在开发过程中发现的任何一个问题,其起因都是科学理论和实际经验的综合所致。
本文旨在探讨红外显微镜用于测量高性能微波GaN HEMT器件和MMIC时的限制。此外,还将描述Qorvo采用建模、实证测量(包括微型拉曼热成像)和有限元分析(FEA)的综合热分析方法。该方法极为有效,且经过实证检验。通过确认红外显微镜的限制,可实现比采用较低功率密度技术开发...
本文讨论了一种新型的用于设计宽带高效功率放大器的连续模式串联方法,并基于此方法设计出了宽带功率放大器。提出了一种构造漏极电压和电流波形的新的理论方程。相比于传统的连续模式串联,本文提出的方法得益于其宽带匹配网络的设计,可以获得更大的设计空间。
通过将混频器的IIP3最大化,可以大幅改善系统动态范围,并提高整体性能。本文综述了高线性FET阻性混频器的设计过程,且运用所讨论的线性化技术设计并构建了一个基于GaAs工艺的MMIC。毫米波混频器的IIP3达到了35dBm。
本文介绍的射频前端MMIC将在未来的28GHz频段5G系统中发挥关键作用。该模块已经验证可以满足集成到毫米波相控阵或波束切换终端的所有要求,并提供卓越的发射通道线性度和效率,同时还有出色的接收噪声系数。发射和接收通道的关键性能指标都达到了设计要求,使得该模块非常...
2011年NIST(美国国家标准与技术研究院,以下简称NIST)科学家开始使用机器人在天线测试领域进行创新,以应对天线测试在毫米波通信、毫米波雷达时代面临的种种挑战。这些让传统天线测试系统疲于应对的挑战来自方方面面,高频率天线需要更高的测试定位精度(500GHz/15um定...
过去数年中,毫米波频率一直用于小众化的军事、航空航天、卫星通信及科学研究。然而,随着工作于数十至数百GHz的新兴5G和60GHz Wi-Fi、汽车雷达和高速数据应用越来越普及,这一现象已经发生改变。应用的多样性以及人们对更高频率测试系统的需求将同轴电缆组件的性能推升至...
本文研究了电缆组件的屏蔽性能,选取机身电缆组件作为例子,让用户更了解结构技术以及它们如何影响微波电缆组件的性能。由于人们会假定性能良好,却极少实际验证,因此微波电缆组件的屏蔽性能常常被忽略。
一颗小小的RFID芯片,将为汽车佩带上“二代身份证”——电子车牌,实现对车辆身份的精准识别、车辆信息的动态采集和交通信息的海量采集。汽车电子车牌离我们的生活越来越近了,套牌车的存在也将成为历史。
先进汽车电子系统在很长一段时间以来都依赖于车载雷达。这些雷达系统在最新的汽车和卡车车型中应用越来越普遍,它以工作在可高达77 GHz的毫米波频率下的信号反射,帮助驾驶员避免汽车发生碰撞。车辆雷达通常使用混合多层印刷电路板(PCB)技术。而这些PCB则是由不同种类的线...
让充电线缠绕在车辆的前排座椅之间不受欢迎,而且可能存在危险。此外,所需的线缆不可避免地会落在家中或办公室,而不在车内!因此,车辆中的无线方案颇具吸引力。
科学家们一直没有停下创新的步伐寻找非接触式在片测试解决方案。提出了探测卡方案、无线收发方案等等林林总总的想法,可是直到今天射频芯片测试仍是传统的接触式探针一统天下。非接触式芯片测试方案仍在颠覆传统技术的路上。
同相/正交(I/Q)不匹配已经被证明是限制基于零中频架构的DPD实现平台的一个主要因素。本文提出一种在宽带数字预失真系统(DPD)中宽带信道不平衡的时域补偿算法。相比于广泛使用的频域补偿方法,本文提出的时域补偿算法计算复杂度较低。实验结果表明,该方法对于20MHz和...
有源毫米波天线采用两种平面结构。一种基于GaAs或GaN工艺,IC位于阵列外;另一种基于硅工艺,IC位于阵内。虽然前者的EIRP非常高,但该方案的弊端亦很明显,包括高馈电损耗及自校准缺失所造成的接收性能差。该架构仅支持一维扫描,需要引入偏置电路如直流定序器,同时其生...
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