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TechnicalFeature  技术特写



              表2   数字波束赋形                       Self Normalized Gain (dB)  容纳所需硬件。相对的,毫米波频率下
                                                   –15  0  15             的阵列过于密集,二维扫描就不适用
             优点              缺点                 –30          30
      波束和零点数目任意         高直流功率                –45               45         了。因为按列馈电架构只能进行一维扫
                                                                          描,电子器件都位于阵列外部,所以可
      能产生大量波束           I/Q信号通路复杂           –60                   60
                                                                          以应用数字波束赋形。同时,因为每个
                        LO信号通路复杂           –75                     75     完整的接收器对应一列而非一个单元,
      不改变硬件即可使波束数       硬件复杂度极高:          –90                      90     所消耗的直流功率显著降低。
      发生动态变化            每个单元/每列均                      –40  –30  –20  –10  0   数字波束赋形还有几大难点,包括
                        需一条全射频通路                    Full Array (39.9 dB)
                                                    Sub-Array (17.0 dB)   直流功耗高(尤其是在将大带宽数字化
                        高频下硬件无法整                    Element (6.5 dB)
      全阵增益能影响到每条波       合到阵内(不支持                                          的情况下);信号通路复杂,其中大量
      束                                                                   I、Q数据点必须绕过阵列与数字处理器
                        二维扫描)           图11:混合波束赋形下的波束示例。
                                                                          相连;本机振荡器(LO)信号通道需要
              表3   混合波束赋形               天线罩损耗之和为1.5dB。由此,可算得              控制在阵列内。不过,令人欣慰的是,
                                        EIRP为:                            如果这些困难都能迎刃而解,那这个架
             优点              缺点
                                        EIRP=20log(256)+5+8.5-1.5=60.2dBmi  构便具有极大的发挥空间,因为无需更
      波束和零点数目任意
                                            与测量值相比误差在0.5dB之内。同            改硬件就可以形成多个波束及零点,同
      能产生大量波束                           样的,接收G/T值可由                       时全阵列的增益能影响到每个波束。优
      不改变硬件即可使波束数                                                         缺点总结详见表2。
      发生动态变化            每条波束只能受                                               混合波束赋形是模拟与数字波束
                        到子阵增益的影
      在高频段,硬件仍可以置       响                                                 赋形的结合(图10)。全阵列的一部
      于阵内(仅限全硅阵列)                                                      (1)  分(子阵列)形成模拟波束,如图11所
      没有复杂的信号通路                             得到,其中N和Ge的定义与发射阵              示。从图上可以看到内置单元宽波、模
      阵列中不含LO                           列的相同,To为参考温度290°K,L是前             拟子阵形成的窄波还有两条电子波束。
                                        端损耗的总和(1.5或1.41dB),F为接            为了简便起见,图中只标出了两条电子
      利用这一点弥补发射功率低的缺点。发                 收器的噪声系数。将单元数256、+5dBi             波束,实际上在模拟波束范围内能够形
      射阵列变大并不一定就是“坏事”,因                 内置单元增益(3.14)、1.5dB损耗和5dB          成多条。全硅和按列馈电架构都可以应
      为阵列越大,每个单元的发射功率就越                 NF(F=3.16)带入得                     用混合波束赋形。其优势包括:
      低,散热面积也越大,也更方便了热控                                                   •  可以在毫米波频率下使用
      制的设计。通过扩充阵列,天线孔径变                                                   •  灵活度高,无需更改硬件即可动态
      大,无需调整单元射频功率,EIRP亦得                                            (2)     形成许多波束和零点
      以提高,阵列整体直流功耗下降。                                                     •  单个单元不需要完整的射频通路,
         Anokiwave公司推出的全硅阵列含                与该阵列的测量结果非常接近。                   每个子阵仅需一条。
      256个单元(图7),测试数据显示该架                                                     而主要缺点则在于单个波束单元无
      构性能良好。天线阵在28GHz下接收G/T             波束赋形                              法从全阵列增益中受益。不过,鉴于混
      为-1.1dB/K,发射EIRP为+59.7dBmi。为          电子有源天线主要应用了三种通                合波束赋形的种种优点,它无疑是目前
      比较测量值与理论值,我们可通过下式                 用的波束赋形架构:模拟、数字及混合                 5G通信系统中最常用的方法。具体优缺
      计算发射EIRP的理论值:                     赋形。本节将对这三种模式作进一步探                 点见表3。
      EIRP=20 log(N)+Ge+功耗 单元 —损耗       讨,对比优缺点,并讨论它们对按列馈
         其中,N为阵列中单元的数量,                 电及全硅架构的影响。接下来的框图                  小结
      Ge为内置单元增益(一个大小为λ/2                (图8—图10)虽然表示接收端,但发射                   用于5G和卫星通信的有源毫米波
      的阵列的增益为+5dBi),功耗 单元 为             端框图与其非常类似,只是方向相反,                 天线在未来几年将实现空前的量产,两
      +8.5dBm,馈电损耗、单元欧姆损耗及              且采用数模转换器(DAC)而不是模数                种主要的平面结构已经问世。一种基于
                                        转换器(ADC)。                         GaAs或GaN工艺,IC位于阵列外;另一
                                            全硅架构下的模拟波束赋形(图                种基于硅工艺,IC位于阵内。虽然前者
                                                                          的EIRP非常高,但该方案的弊端亦很明
                                        8)通过对阵列中的每个单元加上模拟波
                                  Analog
       Digital  Beam  Weights  Mixer  Power  Combiner  Φ  LNAs  束权重来实现;按列馈电架构下则对每  显,包括高馈电损耗及自校准缺失所造
                         Beam
                          Analog
                                Elements
                        Weights
                               or Columns
                                        列加权。进行了模拟波束加权后,相干
                                                                          成的接收性能差。该架构仅支持一维扫
             ADC    ∑     Φ             功率合成波束,后接一个频率合适的下                 描,需要引入偏置电路如直流定序器,
                                        变频器及ADC构成接收天线系统。表1
                                                                          同时其生产成本也很难降低。
                          Φ
                                        总结了优缺点。                               相比之下,全硅有源天线很好地规
                          Φ                 数字波束赋形(图9)使用复杂的               避了这些缺陷。这种结构虽然每个单元
       Digital  Beam  Weights  Φ        数字权重而非模拟权重。为此,全硅架                 的发射功率有限,但它很容易实现大规
                          Φ             构阵列中每个单元以及按列馈电架构阵                 模生产,且制造成本极低,又充分满足
             ADC    ∑                   列中的每列都需要和数字权重之间构成                 了有源毫米波天线的各项关键指标。■
                          Φ
                                        一条完整的接收通路。平面阵列中的全
                          Φ             幅二维扫描只有在低频(如S频带)时
      图10:接收通路的混合波束赋形。                  才能实现这点,因为此时间距大,能够
      64                                                            Microwave Journal China  微波杂志  Mar/Apr 2018
                                                                                                                                                             See us at EDI CON China 322
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