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P. 26

TechnicalFeature  技术特写


                                                                                2
         280 µm 280 µm                                                    1.19mm 。
                     400 µm
                                                                          版图、制造及测量
                        100 µm 65 µm
                                                                              图6a为搭载了改良版不对称R-AMC
                     525 µm
                          90 µm
                 25 µm  20 µm  255 µm                                     平面的圆形AoC的版图,馈源位置略有
                                                                          调整,总体大小为1715μm×710μm。
                        100 µm 40 µm  100 µm                              图6b和6c分别是AoC芯片的成品图及相
      (a)      10 µm                    (b)                                                            19
                                                                          应测量装置。天线的测量由Pan等人 描
                                                                          述的装置进行,采用100μm的Infinity        ®
                                Scanning
                    Wave         Arm        0                             探针,并由Cascade 101-190套件进行校
                  Absorbers     Horn                   Simulated Measured
                                          |S 11| (dB)                     沫架起,芯片下方放置了一块金属以解
                               Antenna     –10                            准。AoC由对EM波几乎不可见的支撑泡
          I      AUT   Supporting          –20                            决接地问题。图6d记录了成品AoC的实
           Probe                                                          际|S 11 |,参考仿真结果可见吻合度良好。
                         Foam              –30
                                             50  52  54  56  58  60  62  64  66  68  70
       (c)                              (d)         Frequency (GHz)             图7a进一步比对了峰值增益响应
                                                                          的实际值与模拟值。鉴于成品AoC位于
                                                                          芯片的角落,我们在图上将其模拟增益
      图6. 搭载于改良版非对称R-AMC平面的圆形AoC的版图(a)、芯片实物图(b)、
      测量装置(c)、|S 11 |的模拟与测量值(d)。                                          以“无金属”标识,与测量结果进行比
                                                                          较。一开始,两者之间有多达4dB的出
                                                                                                       18
                                        710μm,因为该方向上的增益性能影响               入。因为仿真环境不存在金属制品 ,
                    Curve Info
            No metals  With metals  Measured  可忽略不计。除此之外,如图5a所示,          该差异的出现可能是因为没有考虑到附
          0            2.2 dB           通过加厚贴近AoC的AMC单元,再调整               近金属、探头和探针主体的影响。图7b
                                                                          的仿真模型纳入了金属体的作用,探头
                                        AoC与改良后AMC单元的间隙“d1”和
        Peak Gain (dBi)  –4  1.5 dB  Simulated  AMC单元本身之间的间隔“d2”,整        也参照Pan等人 的建议进行了建模。
         –2
                                                                                       19
                                        体输入匹配性能有所提升。天线的|S 11 |
                                                                          图7a中的标为“有金属”的模拟峰值增
         –6
                                                                          益与测量结果较为接近,尤其是在小于
         –8
                                        60GHz处具有0dBi的增益,其面积仅为
        –10                             仿真和峰值增益响应结果见图5b,在                 58GHz的前半段。尚存的差值可能是由
          50  52  54  56  58  60  62  64  66  68  70
                 Frequency (GHz)
       (a)                                        0 Z                    Z                    Z 0
                            X                –30   –10  30          –30  0 –10  30       –30  –10  30
                X        Z                         –20                   –20                  –20
                                 Y        –60      –30   60      –60     –30   60     –60     –30   60
        Z                Y                         –40                   –40                  –40
                                         –90              90 X  –90             90 X  –90            90 X
                                          –120           120    –120           120   –120           120
                                             –150    150           –150     150         –150     150
                                                 –180                  –180                 –180
                                                  X                      X                    X
       (b)                                        0                      0
                                             –30      30            –30     30           –30  0   30
                                                                                               –8
                                                                          –8
      图7.增益的模拟与测量值(a),HFSS                –60      –12   60      –60     –16   60     –60      –16  60
                                                   –19
      模型(b)。                                       –26                   –24                   –24
                                                   –33                   –32                   –32
                                         –90              90 Y  –90             90 Y  –90             90 Y
      真结果:两者谐振频率一致,匹配性能
      也大致相同。图4c进一步对比了增益及                 –120            120    –120           120   –120           120
      效率,表现基本一致。同样的,我们从                      –150    150           –150     150         –150     150
                                         (a)     –180         (b)      –180          (c)     –180
      图4d可以看到,两种情况下的电场分布
      也几乎一样。这些观察结果表明,方形                 图8. E面(上)和H面(下)辐射方向图,蓝色为测量值、红色为模拟值: 56GHz时
      AMC和不对称R-AMC可相互替换应用               (a),60GHz时(b),64GHz时(c)。
      于TM模天线中。
                                                                    表2   性能比较
      搭载于改良版非对称R-AMC的圆                      参照方案          本设计           11           13           14
      形AoC
                                             工艺        0.18 μmCMOS  0.18 μm CMOS  0.18 μm CMOS  0.18 μm Bi-CMOS
         为了进一步提高AoC的增益与有效
      面积比,图5中针对不对称R-AMC平面                   天线类型         圆形贴片           双环           贴片            /
      进行了修改,移除了AoC正下方的两个                   增益测量值       -4.3 at 60 GHz  -4.4 at 65 GHz  -0.5 at 60 GHz  -2.5 at 94 GHz
      单元。这种通过削减AMC单元以提高增                    (dBi) 2
                             11
      益的方法最初是由X. Bao等人 提出的。               面积(mm )          1.22         3.24        10.89         2.6
      另外,每个单元的长度限制为860μm到                    小结           尺寸小          圆极化         片外AMC       超表面辐射
      24                                                            Microwave Journal China  微波杂志  Jul/Aug 2017
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